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產品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。
● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩定性與機械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒，提升探測器的性能
TO8型封裝外形尺寸圖
透鏡參數
參量 | 數值 |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學區域面積AO, mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 2.4±0.20 |
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離
引腳定義
功能 | 引腳號 |
探測器 | 1（-）,2（+） |
接地 | 3 |
● 熱成像
● FTIR光譜學
● 激光外差探測
● 中紅外氣體分析
參數 | 探測器型號 | |
PVIA-3 | PVIA-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質結構 | 外延InAsSb異質結構 |
波長λopt（μm） | 2.15±0.2 | 2.3±0.2 |
相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | 2.95±0.3 | 4.7±0.3 |
相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | 3.5±0.2 | 5.5±0.2 |
電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥5×1010 | ≥5×109 |
時間常數T，ns | ≥1.3 | ≥1.3 |
電阻R,Ω | ≤20 | ≤15 |
元件工作溫度Tdet,K | ≥2K | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO39 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | 無 | |
探測器光譜響應特性曲線
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